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歪歪漫画韩国网页版 www.495ok.cn 发布时间:2019/12/24 10:17:00 访问次数:39发布企业:深圳市明烽威电子有限公司

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制造商: Infineon
产品种类: IGBT ???br /> RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
在25 C的连续集电极电流: 365 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 940 W
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FF300R07KE4


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制造商: Infineon
产品种类: IGBT ???br /> RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
在25 C的连续集电极电流: 365 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 940 W
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FF300R07KE4


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制造商: Infineon
产品种类: IGBT ???br /> RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
在25 C的连续集电极电流: 365 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 940 W
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FF300R07KE4


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制造商: Infineon
产品种类: IGBT ???br /> RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
在25 C的连续集电极电流: 365 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 940 W
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FF300R07KE4


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制造商: Infineon
产品种类: IGBT ???br /> RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
在25 C的连续集电极电流: 365 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 940 W
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FF300R07KE4


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制造商: Infineon
产品种类: IGBT ???br /> RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
在25 C的连续集电极电流: 365 A
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封装 / 箱体: 62 mm
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封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FF300R07KE4


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制造商: Infineon
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产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
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封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FF300R07KE4


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制造商: Infineon
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产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
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商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FF300R07KE4


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产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
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栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 940 W
封装 / 箱体: 62 mm
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最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
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制造商: Infineon
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产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
在25 C的连续集电极电流: 365 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 940 W
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
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封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
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制造商: Infineon
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产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
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集电极—射极饱和电压: 1.75 V
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封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
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封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
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配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
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封装 / 箱体: 62 mm
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商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
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配置: Dual
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栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 940 W
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FF300R07KE4


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产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
在25 C的连续集电极电流: 365 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 940 W
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
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